M471B5173DB0-YK0

SAMSUNG 4GB SODIMM, 1.35V 1600 x8

Технология на паметта: DDR3 SDRAM
Капацитет на устройство за съхранение на данни: 4 GB
Форм фактор на паметта: SODIMM 204-pin
Количество модули памет: 1
Предлага метод за проверка за грешки: Non-ECC
Конфигуриране на модулите памет: 512 x 64
Скорост/честота на паметта: 1600MHz(PC3-12800)
CAS латентност: CL11
TRCD: 11
TRP: 11
Характеристики на паметта: Небуферирана Low Voltage
Съвместими устройства: Лаптоп Other
Макс. работна околна температура: 85 В°C
Мин. работна околна температура: 0 В°C
Номинално захранващо напрежение: 1.35 V